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《Journal of Semiconductors》
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《Journal of Semiconductors》

期刊收录:

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《Journal of Semiconductors》是由中国科学院半导体研究所;中国电子学会主办,《Journal of Semiconductors》是报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展的专业期刊。
  • 主管单位: 中国科学院

  • 主办单位: 中国科学院半导体研究所;中国

  • 出版地方: 北京

期刊简介

《Journal of Semiconductors》1980年创刊。现为月刊,每期190页左右,国内外公开发行。每期均有英文目次,每篇中文论文均有英文摘要。主编为王守武院士。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。 《Journal of Semiconductors》报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,内容包括半导体超晶格和微结构物理,半导体材料物理,包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试,半导体器件物理,新型半导体器件,集成电路的CAD设计和研制,新工艺,半导体光电子器件和光电集成,与半导体器件相关的薄膜生长工艺,性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同,是以半导体和相关材料为中心的,从物理,材料,器件到应用的,从研究到技术开发的,跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物,发表中、英文稿件。

办刊宗旨

《Journal of Semiconductors》报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,内容包括半导体超晶格和微结构物理,半导体材料物理,包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试,半导体器件物理,新型半导体器件,集成电路的CAD设计和研制,新工艺,半导体光电子器件和光电集成,与半导体器件相关的薄膜生长工艺,性质和应用等等。

读者对象

从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。

收录情况

CA 化学文摘(美);CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版);EI 工程索引(美);JST 日本科学技术振兴机构数据库(日);Pж(AJ) 文摘杂志(俄);SA 科学文摘(英);万方收录(中);上海图书馆馆藏;剑桥科学文摘;国家图书馆馆藏;文摘与引文数据库;文摘杂志;知网收录(中);维普收录(中)

栏目设置
研究快报、研究论文、研究简报、技术进展
投稿要求

1、稿件应观点明确,数据可靠,言简意赅,重点突出。与本文内容类似或密切相关的已发表论文,应列入参考文献,以示尊重,并避免重复。通栏排版,单面间行打印。中文文章需含英文的题目、作者、作者单位、摘要和关键词;英文文章需含中文的题目、作者、作者单位、摘要和关键词。

2、题目、作者、单位和摘要:题目应简洁、准确,不宜太长,中文题目不宜超过20个字,外文题目不宜超过10个实词。文章的作者署名在投稿时应明确,以后不宜更改。作者单位需写出全称、所在城市和邮政编码。摘要应语义确切,表述简明,宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论。

3、中英文关键词、PACC、EEACC或CCACC:应给出反映文章特征内容,通用性比较强的中英文对应关键词3~6个;PACC、EEACC或CCACC专业代码1~3个。

4、基金及批准号:若文章得到省、部级以上基金资助,应给出基金的中、英文全称及批准号。

5、缩略词、符号及计量单位:摘要和正文中的缩略词在第一次出现时都必须写出全称。外文字母、符号必须分清大小写,正、斜体,上、下角,容易混淆的字母、符号等在第一次出现时,请用铅笔注明。计量单位请用国家法定计量单位,全文文种要始终一致。

6、图、表、照片:图和照片按出现先后顺序编号,图的整个宽度以70mm或140mm规格为宜,图框宜细,刻度向里,曲线略粗,墨色要黑,线条要匀,图中文字应与正文完全一致。照片要求黑白反差大,层次清晰,不接受彩色图和彩色照片。表格应简洁、明确,宜用三线表。

7、参考文献:参考文献按在正文中出现的顺序编号,用方括号括住置引文处右上角,并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料。中文参考文献需附相应的英译。参考文献格式著录项目应齐全。

期刊的格式为:作者(列前三名).题目.刊名,年份,卷(期):页码

8、评审:来稿将送有关专家审阅。中文稿需3个月、英文稿需2个月左右才能收到修改意见和初步录用意见。作者在收到修改意见后,在3周内须将修改稿和软盘(可用Email稿代替)寄回编辑部。延期返回的稿件将被更改收文日期;超过3个月未返回修改稿作撤稿处理。刊登与否由编委会最后审定。不拟刊登之稿,会尽快函告作者。

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投稿方式
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